====== Znaczące prace naukowo - badawcze opublikowane w raportach KBN (Granty) ====== 106. Kierownik projektu badawczego: A. Kołodziej; Wieloźródłowy system wytwarzania wielowarstwowych struktur krzemowych. Raport JPBR6.20 pod redakcją A.Kołodziej, 1992. 107. Wykonawca: A. Kołodziej; Inteligentny czujnik gazu z wykorzystaniem logiki rozmytej, grant KBN nr 8T11B05312. 108. Główny wykonawca: A. Kołodziej; Tranzystor polowy w oparciu o technologię amorficznego krzemu jako czujnik jonów ISFET, KBN nr 8S50107604, raport pod redakcją: A.Kołodziej, maj 1994. 109. Kierownik grantu: A. Kołodziej; Fototranzystor polowy z rekrystalizowanym kanałem na amorficznym krzemie jako czytnik znaków i element sterujący LCD, KBN nr PB 495/S5/94/07, raport pod redakcją: A.Kołodziej, listopad 1996. 110. Kierownik grantu: A. Kołodziej; Zintegrowana struktura matrycowego przetwornika obrazu obejmująca element fluorescencyjny, fotodiodę PIN i tranzystor polowy w zastosowaniach do czytnika znaków i do cyfrowego odczytu zobrazowań miękkiego promieniowania rentgenowskiego, KBN nr 8T11B02212, raport pod redakcją: A.Kołodziej, kwiecień 2000. 111. Kierownik grantu: A. Kołodziej; Rozwój fotowoltaiki celem uzyskania energii elektrycznej w warunkach krajowych, KBN nr 05/T11/98, temat 3: Opracowanie technologii cienkowarstwowych, krzemowych ogniw fotowoltaicznych, raport pod redakcją: A.Kołodziej, grudzień 2002. 112. Kierownik grantu: A. Kołodziej; Nowe wysokowydajne wielozłączowe struktury fotowoltaiczne oparte na uwodorowanych krzemowo-germanowych warstwach z gradientową przerwą wzbronioną w zastosowaniu do cienkowarstwowych i monokrystalicznych ogniw słonecznych; nr projektu: 3 T11B 034 30; 2006-2008. ====== Inicjatywy przemysłowe ====== 113. Uruchomienie konsorcjum, wspólnie z firmą Uni-Solar, MI, USA, w celu produkcji ogniw słonecznych. Zobowiązanie offsetowe pn. „Centrum produkcyjno-badawczo-marketingowe cienkowarstwowych krzemowych ogniw i paneli słonecznych”, Offsetobiorcy: Górnośląska Agencja Przekształceń Przedsiębiorstw S.A., Katowice; Centrum Transferu i Promocji Technologii „DIAMENT 2100” Sp. z o.o., Bieruń (Eurovillage Silesia); Akademia Górniczo-Hutnicza w Krakowie (2002-2004). ====== Opracowania dla przemysłu niepublikowane z lat 1975-1990 ====== 114. Technologia subminiaturowego potencjometru z tlenkową warstwą rezystywną. Opracowanie dla KZE „TELPOD” (1975). Praca zakończona budową prototypowego urządzenia do nanoszenia warstw rezystywnych. Produkcji nie uruchomiono ze względu na wprowadzenie licencji technologii grubowarstwowej (E. Leja, A. Kołodziej ). 115. Warstwy grzejne na cylindrycznych elementach z ceramiki korundowej. Zlecenie Instytutu Techniki Cieplnej i Silników Spalinowych Politechniki Poznańskiej (1977). Wykorzystano w pracach przy badaniu silników spalinowych(E. Leja , A. Kołodziej). 116. Warstwy grzejne na szybach śmigłowców. Technologia i urządzenie produkcyjne. Zlecenie WSK w Świdniku (1980). Produkcja uruchomiona w HSO-Sandomierz (E. Leja , A. Kołodziej ). 117. Technologia wykonania i metodyka kontroli technicznej podgrzewanych, bezpiecznych szyb do samolotów. Zlecenie WSK-Mielec (1985). Produkcja uruchomiona w HSO-Sandomierz (E. Leja, A. Kołodziej). 118. Technologia nanoszenia warstw grzewczych na optyczne elementy sprzętu specjalnego. Zlecenie Wojskowego Instytutu Uzbrojenia (1985). Seria prototypowa dla Zakł. Mechanicznych Stalowa Wola wykonana w AGH (E. Leja, A. Kołodziej). 119. Układ zasilania i kontroli temperatury szyby lotniczej podgrzewanej. Zlecenie WSK-Mielec (1986). Produkcja cienkowarstwowych termorezystorów platynowych uruchomiona OBR-MHiR w Krakowie (E. Leja, A. Kołodziej). 120. Opracowanie założeń do dokumentacji wielokomorowego urządzenia próżniowego do nanoszenia wielowarstwowych powłok w systemie „in line”. Zlecenie CPBR 02.20.2.5 (1986). Dokmentacja technologii była przedmiotem oferty ZAP w Bolesławcu i Instytutu Elektroniki AGH (E. Leja, A. Kołodziej). 121. Technologia i dokumentacja próżniowego urządzenia do metalizacji folii poliestrowych z zastosowaniem techniki rozpylania magnetronowego. Zlecenie HSO-Ząbkowice (1990). Budowa prototypowego urządzenia w realizacji w przedsiębiorstwie prywatnym (E. Leja, A. Kołodziej). ====== Inne osiągnięcia w zakresie rozwoju laboratoriów i technologii w ostatnich 20 latach ====== 122. Opracowanie warstw pasywujących i rezystywnych SiOxi SiNx (współpraca z Telpodem), A.Kołodziej, 1987. 123. Opracowanie warstw pasywujących SiNx dla diod mocy (współpraca z Laminą), A.Kołodziej, J.Andrzejewski, 1991. 124. Opracowanie programu sterowniczego oraz sterowniczo-doradczego współpracującego z urządzeniem technologicznym, A.Kołodziej, 1989-1992, AGH, Katedra Elektroniki (źródła finansowania: JPBR 6.20). 125. Wytworzenie zintegrowanej struktury fotodioda PIN plus tranzystor przełączający, A.Kołodziej, 1994, AGH, Katedra Elektroniki (źródła finansowania: KBN nr 8S50100907). 126. Wytworzenie serii próbnych linijek z 160 tranzystorami przełączającymi do sterowania komórkami LCD oraz wytworzenie serii tych linijek jako czujników jonów wodorowych w roztworach o pH od 2 do 7, A.Kołodziej, L.Dobrzański, 1994, AGH, Katedra Elektroniki (źródła finansowania: KBN nr 8S50107604). 127. Skonstruowanie i uruchomienie zautomatyzowanego urządzenia próżniowego do wytwarzania wielowarstwowych struktur półprzewodnikowych w oparciu o wieloźródłowy system do sputteringu i parowania, A.Kołodziej, 1994, AGH, Katedra Elektroniki (źródła finansowania: KBN nr 8S50107604). 128. Wytworzenie i badanie własności zintegrowanych struktur typu: fotodioda PIN i tranzystor przełączający, komórka LCD i tranzystor przełączający, oraz element luminescencyjny X plus fotodioda PIN i tranzystor przełączający.Celem było ich zastosowanie w płaskich ekranach i w wielkopowierzchniowych czytnikach znaków (sensorach obrazu). Wytworzenie i badanie matrycowych elementów sensora obrazu pod kątem zastosowań jako detektora promieniowania X, A.Kołodziej, P.Krewniak, R.Tadeusiewicz, L.Dobrzański, 1995-1999, AGH Katedra Elektroniki oraz Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych W-wa, badania także w kooperacji m.i. z Ann Arbour MI i Penn State PE. 129. Program eksperymentalno-multimedialny wspomagający sterowanie technologią próżniową układów wielowarstwowych. Optymalizacja procesu sterowania reaktywnego sputteringu magnetronowego (prace własne), A.Kołodziej, 1995-2000, AGH, Katedra Elektroniki. 130. Wytworzenie wstępnych jednozłączowych ogniw na a‑Si:H o przekątnej próbki 3cale i wydajności ok. 5-7% oraz wytworzenie ogniw laboratoryjnych o powierzchni 1-4mm2 o wydajności 7-9%, A.Kołodziej, 2000, AGH, Katedra Elektroniki (źródła finansowania: KBN nr 8T11B02212). 131. Opracowanie metod próżniowego otrzymywania cienkich warstw w wieloelektrodowym systemie rozpylania jonowego i osadzania chemicznego z wspomaganiem plazmowym, A.Kołodziej, 1987-2001, AGH, Katedra Elektroniki. 132. Zaprojektowanie,zestawienie i uruchomienie nowego trzy-komorowego systemu próżniowego RF PECVD, A.Kołodziej, 2002, AGH, Katedra Elektroniki (źródła finansowania: KBN nr 05/T11/98). 133. Analiza własności optoelektronicznych oraz transportu w strukturach diodowych i tranzystorowych opartych na amorficznym i mikrokrystalicznym krzemie, A.Kołodziej, P.Krewniak, 1996-2003, AGH, Katedra Elektroniki. 134. Przeprowadzenie stażu Stypendysty z Marie Curie Training Site utworzonego w ramach I Programu Horyzontalnego - Human Potential z 5 Programu Ramowego Unii Europejskiej, numer kontraktu: HPMT-CT-2001-00378, pt. ” Structure and Properties of Advanced Materials for Environmental Applications”, A.Kołodziej, 2004-2005. 135. Stworzenie pracowni wielowarstwowych struktur półprzewodnikowych obejmującej: pomieszczenie typu „clean-room”, trzy-komorowe urządzenie PECVD oraz inną aparaturę technologiczną, instalację gazową wraz z systemem szaf gazowych, spektrometr kwadrupolowy, kopiarkę masek, zautomatyzowane stanowisko do pomiaru charakterystyk I-V-T wysokooporowych struktur oraz specjalny system alarmowy przed gazami toksycznymi, A.Kołodziej, 1997-2005, Katedra Elektroniki, AGH.
